[22a-E102-1~8] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[22a-E102-6] フィラメント形成領域を制限した銅イオン制御-分子膜ギャップ型原子スイッチの開発

〇(M1)石嶋 陽樹¹、長谷川 剛¹ (1.早大先進理工)

キーワード：原子スイッチ、抵抗変化型メモリ