[22a-E202-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22a-E202-1] GaN高温HVPE成長のための熱力学解析モデルの修正

〇(M2)松岡 聖¹、坂東 もも子¹、大西 一生²、後藤 健¹、新田 州吾³、村上 尚¹、熊谷 義直¹ (1.東京農工大院工、2.名大院工、3.名大IMaSS)

キーワード：GaN、HVPE、熱力学解析

GaNのHVPE成長の熱力学解析モデルについて、高温条件下成長に対応した修正モデルを用いて解析を行った。過去に報告されている解析モデルにおいても1000℃付近の実験的挙動を上手く説明できているが、近年の成長温度の高温化により1100℃よりも高温域で成長が生じず、基板が分解するという実験結果を説明できない。そこで、GaNとH₂の反応を取り込んだ熱力学解析モデルを用いて解析を行った。