[22a-E202-1~7] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22a-E202-3] High growth-rate and thick GaN growth by oxide vapor phase epitaxy method

〇Shigeyoshi Usami¹, Ayumu Shimizu¹, Masayuki Imanishi¹, Junichi Takino², Tomoaki Sumi², Yoshio Okayama², Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura³, Masahiko Hata⁴, Masashi Isemura⁵, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.Panasonic Corp., 3.ILE, Osaka Univ., 4.Itochu Plastics Inc., 5.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:OVPE, high growth-rate, thermodynamic calculation

Ga2OをGa源として用いるOVPE法では高Ga2O分圧下で多結晶を生じやすく、高速成長レートでの厚膜を得られない課題があった。そこで、本研究では熱力学計算により多結晶を抑制しつつ高速成長可能な領域を推定したところ、NH3分圧を減少させ、Ga2O分圧を上昇させた超低核生成頻度領域において解決可能であることが示唆された。示された条件を実機に適用したところ、200um/hの高速成長条件にて800um超の厚膜をほぼ多結晶フリーで成長することに成功した。