[22a-E202-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-E202-5] HVPE法によるScAlMgO₄基板上の高品質GaN基板作製（Ⅰ）多数枚同時成長

〇只友 一行¹、福田 承生³、井本 良¹、星生 伸一² (1.CNV技研、2.オータスジャパン、3.福田結晶研)

キーワード：HVPE、GaN、SAM

6インチ対応の大型HVPE炉にて、擬似的に6インチ径の大面積に相当するように、5枚のSAM基板を配置して厚膜GaN成長を行った。5枚の透明なGaN基板が得られ、5枚のSAM基板は全て自然分離していた。SAM基板の4枚は割れることなく回収でき、再研磨による再利用が可能な状態であった。5枚の基板配置領域は擬似的に6インチ径の大面積に相当する。SAM基板は将来の大口径のGaNの長尺成長を高歩留まりで実現する有望な基板であることが実証された。