[22a-E202-1~7] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22a-E202-6] Growth of GaN films on ScAlMgO₄ Substrate by HVPE (Ⅱ) Reuse of ScAlMgO₄ substrates.

Shinichi Seiryu¹, Kazuyuki Tadatomo², Ryo Inomoto², 〇Tsuguo Fukuda³ (1.OTASJAPAN Co.,Ltd, 2.CNV Technical Institute, Co. Ltd., 3.Fukuda Crystal Lab.)

Keywords:GaN, HVPE

我々はScAlMgO₄(SAM) ウェハー上に直径2インチサイズで高品質GaN自立基板作成に成功し、多数枚同時成長で、自然剥離も実証できた。ここではウェハーコスト低減の視点から、種基板SAMの多数回の再利用とウェハーの有効面積直径2インチウェハー相当（＝50φ100%）の種基板SAMサイズの検討を行った結果を報告する。