[22a-E202-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-E202-6] HVPE法によるScAlMgO₄基板上の高品質GaN基板作成 (Ⅱ) 種基板ScAlMgO₄の再利用

星生 伸一¹、只友 一行²、井本 良²、〇福田 承生³ (1.オータスジャパン、2.CNV技研、3.福田結晶研)

キーワード：GaN、HVPE

我々はScAlMgO₄(SAM) ウェハー上に直径2インチサイズで高品質GaN自立基板作成に成功し、多数枚同時成長で、自然剥離も実証できた。ここではウェハーコスト低減の視点から、種基板SAMの多数回の再利用とウェハーの有効面積直径2インチウェハー相当（＝50φ100%）の種基板SAMサイズの検討を行った結果を報告する。