[22a-E203-1~11] 17.3 Layered materials

[22a-E203-3] Resonant tunneling effect utilizing subband quantization in a conduction band of 4-layer WSe₂

〇Kei Kinoshita¹, Rai Moriya¹, Shota Okazaki², Yijin Zhang¹, Satoru Masubuchi¹, Kenji Watanabe³, Takashi Taniguchi^3,1, Takao Sasagawa², Tomoki Machida^1,4 (1.IIS Univ. Tokyo, 2.MSL Tokyo Tech., 3.NIMS, 4.CREST-JST)

Keywords:TMD, resonant tunneling, subband

4層WSe₂ /トンネルバリアh-BN / 4層WSe₂デバイスにおいて、WSe₂の伝導帯サブバンド間の共鳴トンネル効果を観測した。伝導帯サブバンドはQ点（Γ点とK点の中間）に位置するため、トンネル前後のキャリアの波数を揃えるためにTear-and-stack法により両WSe₂をアラインさせて積層した。また、WSe₂へのn型電極としてグラフェンを用いた。温度2 KのI -V特性においてWSe₂サブバンド間での複数の共鳴ピークを観測した。また、負性微分抵抗は室温まで観測できた。