[22a-E204-1~9] 6.3 Oxide electronics

△ [22a-E204-5] Oriented growth of VO₂ thin film on flexible synthetic mica and modulation of metal-insulator transition temperature by bending stress

〇(D)Yuta Arata¹, Nishinaka Hiroyuki¹, Minoru Takeda¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:vanadium dioxide, metal-insulator transition, mist chemical vapor deposition

約67°Cで金属-絶縁体転移を引き起こすVO₂を、ミストCVD法を用いてフレキシブルな合成雲母基板上に配向成長させた。SnO₂をバッファ層として挿入することで、VO₂は(010)面に配向して成長した。このようにして配向成長した合成雲母上のVO₂を曲率半径10mmで曲げることで、通常状態と比べて金属-絶縁体転移温度を約2°C高温側にシフトさせることに成功した。