[22a-E204-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22a-E204-5] フレキシブルな合成雲母基板上へのVO₂薄膜の配向成長および曲げ応力による金属絶縁体転移温度の変調

〇(D)新田 悠汰¹、西中 浩之¹、武田 実¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：VO2、金属-絶縁体転移、ミスト化学気相成長

約67°Cで金属-絶縁体転移を引き起こすVO₂を、ミストCVD法を用いてフレキシブルな合成雲母基板上に配向成長させた。SnO₂をバッファ層として挿入することで、VO₂は(010)面に配向して成長した。このようにして配向成長した合成雲母上のVO₂を曲率半径10mmで曲げることで、通常状態と比べて金属-絶縁体転移温度を約2°C高温側にシフトさせることに成功した。