[22a-E204-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22a-E204-6] TiO₂(110)ステップ基板上VO₂薄膜の相転移特性の素子方向依存性

〇金 庚民¹、玄地 真悟²、山崎 詩郎³、田中 秀和²、阿部 真之¹ (1.阪大基、2.阪大産研、3.東工大物)

キーワード：バナジウム酸化物/酸化チタン、ステップテラス構造、金属-絶縁体相転移特性

VO₂薄膜は室温近傍で数桁の抵抗変化を伴う金属-絶縁体相転移（MIT）を示す。本研究ではTiO₂(110)ステップ基板上にVO₂薄膜を成長させ、ステップ方向に対し平行/垂直方向にそれぞれマイクロ細線を作製した結果、MIT特性が大きく変化することを発見した。素子方向の違いによるMIT特性の差異を発見した本研究成果は、歪みに敏感なVO₂のMIT特性の特徴を引き出す新たな手法になる。