[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-E302-10] N極性面AlGaN/AlN 高電子移動度トランジスタの作製と評価

〇松田 駿佑¹、稲原 大輔¹、松村 航¹、You Lu¹、安高 和哉¹、花咲 光基¹、姚 永昭²、石川 由加里²、倉井 聡¹、岡田 成仁¹、山田 陽一¹、只友 一行¹ (1.山口大院・創成科学、2.ファインセラミックスセンター)

キーワード：N極性、高電子移動度トランジスタ、AlGaN/GaN