[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22a-E302-11] 直接接合界面へのAlN拡散防止層挿入によるSi基板上に転写したN極性GaN/AlGaNの耐熱性向上

〇吉屋 佑樹¹、星 拓也¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：窒化ガリウム、N極性、基板転写