[22a-E302-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22a-E302-12] Electrical characteristics of Si-doped GaN films deposited by sputtering on N-polar semi-insulating GaN substrates

〇Shinji Yamada¹, Taehui Lee¹, Masanori Shirai², Hiroki Kobayashi², Ryuichiro Kamimura², Manabu Arai¹, Tetsu Kachi¹, Jun Suda¹ (1.Nagoya Univ., 2.ULVAC)

Keywords:GaN, Sputtering, Electrical characteristics

我々は、GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの裏面コンタクト抵抗の低減に向けて、窒素(N)極性面GaN基板上への高濃度Si添加GaNスパッタ膜形成技術の開発を行っている。今回、GaNスパッタ膜の電気的特性を正確に評価するため、下地に半絶縁性GaN基板を用いて、そのN極性面上にSi添加量を変化させたGaNスパッタ膜を形成し、各々の表面形態や電気的特性の評価を行ったので報告する。