[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-E302-12] N極性面半絶縁性GaN基板上Si添加GaNスパッタ膜の電気的特性評価

〇山田 真嗣¹、李 太喜¹、白井 雅紀²、小林 宏樹²、上村 隆一郎²、新井 学¹、加地 徹¹、須田 淳¹ (1.名大、2.アルバック)

キーワード：窒化ガリウム、スパッタリング、電気的特性評価

我々は、GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの裏面コンタクト抵抗の低減に向けて、窒素(N)極性面GaN基板上への高濃度Si添加GaNスパッタ膜形成技術の開発を行っている。今回、GaNスパッタ膜の電気的特性を正確に評価するため、下地に半絶縁性GaN基板を用いて、そのN極性面上にSi添加量を変化させたGaNスパッタ膜を形成し、各々の表面形態や電気的特性の評価を行ったので報告する。