[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-E302-2] AlGaN/GaN HEMTのTLMにおける1/fノイズ測定

〇片倉 滉司¹、星井 拓也¹、若林 整¹、筒井 一生²、角嶋 邦之¹ (1.東京工業大学工学院、2.東工大科学技術創成研)

キーワード：1/fノイズ、AlGaN/GaN HEMT