[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-E302-3] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスのバッファ層不純物依存性

〇高橋 英匡¹、安藤 裕二¹、分島 彰男³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

キーワード：窒化ガリウム、HEMT

GaNが本来持つポテンシャルを最大限に引き出すため、GaN基板上のGaN-HEMTの開発を進めている。本研究ではGaN基板上にバッファ層の構成を変えて成長したHEMTエピを用いることにより、バッファ層不純物のドレイン電流コラプスの周波数分散に与える影響について調べた。パルス測定による最大ドレイン電流の周波数分散を比較したところ、バッファ層不純物の違いにより大きな差が見られた。