[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-E302-4] InAlN/AlN/GaN構造中2DEGにおける移動度のキャリア濃度依存性

〇(M1)小森 勇太¹、筒井 一生¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、宮野 清孝²、依田 孝²、水島 一郎²、津久井 雅之² (1.東工大電気電子系、2.ニューフレアテクノロジー)

キーワード：InAlN/GaN系HEMT、HEMT

近年、従来のAlGaN/GaN系HEMTに比べ、InAlN/GaN系HEMTの高周波デバイスへの応用が期待されている。一方、InAlN/GaN構造では2DEGの移動度が低い問題があったが、界面にAlNスペーサ層を 挿入したInAlN/AlN/GaN構造では移動度が増大でき、かつその厚さに1nm程度の最適値があることも知られている。しかし、この機構はまだ充分理解されていない。前回まで我々はAlN層厚に依存したキャリア散乱機構を移動度の温度特性から調べてきたが、その知見を進めるために、今回は移動度の2DEG濃度依存性を検討した。