[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22a-E302-6] ストライプリセスオーミックコンタクトによるInAlGaN/AlN/GaN HEMTのコンタクト抵抗改善とモデル検討

〇熊崎 祐介¹、尾崎 史朗¹、岡本 直哉¹、原 直紀¹、多木 俊裕¹ (1.富士通)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、オーミックコンタクト

本研究では，InAlGaN/AlN/GaN HEMTのオーミック電極に金属と半導体の周期配列構造を導入するストライプリセスオーミックコンタクトを開発した．フィン密度増加により電気伝導に寄与する金属/2DEG接触領域が増加し，コンタクト抵抗低減に寄与することを確認した．本技術は他のオーミック技術と比較して低温で作製することができ，電流コラプスが相対的に小さいため，次世代移動体通信の高出力アンプ実現に向けて有用な技術といえる．