[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22a-E302-8] 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

〇(M1)田中 さくら¹、井上 暁喜¹、川出 智之¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：HEMT、GaN、Ⅲ族窒化物

本研究では、当研究室が取り組んできた四元混晶AlGaInNバリア層を備えるGaN-HEMT構造を単結晶AlN基板上にMOCVD成長し、デバイス試作と基礎的な性能評価を行った。
試作したデバイスは大電流域での負性抵抗が見られず、ON抵抗8.8 Ωmm、最大相互コンダクタンス120 mS/mmという良好なトランジスタ特性を示した。さらに、最大で1760cm²/Vsという高い電界効果移動度（チャネル移動度）も示した。