[22a-E303-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[22a-E303-3] ECR-PECVD法を用いて低温作製した光周波数コム発生器

〇相原 卓磨¹、開 達郎¹、西 英隆¹、土澤 泰¹、松尾 慎治¹ (1.NTT先デ研)

キーワード：SiN、光周波数コム、リング共振器

SiNは、低損失、広い透過波長域、CMOS互換性などの特長から様々な光デバイスで使われる材料である。我々は、このSiNとSi、InP、LiNbO₃などの異種材料を組み合わせた高性能・多機能な光集積プラットフォームの実現を目指している。特に我々は、近年研究が活発化している光周波数コム発生器のSiプラットフォーム上集積を検討している。本研究では、ECR-PECVD(Electron cyclotron resonance-plasma enhanced chemical vapor deposition)法を用いて低温プロセスによりSiNリング共振器を作製した。作製したリング共振器を用いて光周波数コムの発生を実証した。本結果は、Siプラットフォーム上への光周波数コム発生器集積の実現可能性を示すものである。