[22a-F308-1~10] 2.1 Detection Devices

[22a-F308-10] Real-time measurements of electrical properties of GaN SBD during proton irradiation

〇Hironori Okumura¹, Manabu Togawa², Masaya Miyahara², Jiro Nishinaga³, Masataka Imura⁴, Tadaaki Isobe⁵ (1.Univ. of Tsukuba, 2.KEK, 3.AIST, 4.NIMS, 5.RIKEN)

Keywords:GaN, Proton beam, Diode

窒化ガリウム(GaN)は、はじき出し損傷エネルギーが大きく、電子正孔対の生成確率が大きいこ
とから、長寿命の放射線検出器用材料の一つに挙げられる。しかし、高放射線環境におけるGaN
素子の電気的特性を、実験的に調べた報告は寡少である。本研究では、最大7 MGy の陽子線を
GaN ショットキ障壁ダイオード(SBD)に照射し、電気的特性の劣化推移をリアルタイムで調べた。