[22a-P01-1~10] 1.3 新技術・複合新領域

[22a-P01-8] Ar^＋ビーム照射によるSiアモルファスマスクを利用したKOHエッチングによる単一細胞分離プレートとマイクロ流路の作製

〇佐藤 美那¹、遠西 美重¹、松谷 晃宏¹ (1.東工大 OFC)

キーワード：KOHエッチング、Si、ＥCRイオンシャワー

FIB装置を用いて数十keVのGa^＋をSi基板表面に照射した際，アモルファス化によりKOH溶液によるエッチング耐性を示すことが知られているが，その場合には微小範囲のアモルファス化にとどまる．そこで，本発表ではECRイオンシャワー装置を用いてAr^＋ビームを試料に照射し，Si表面をアモルファス化し，KOHエッチングにより単一細胞分離プレートを作製した結果について報告する．また，マイクロ流路を作製した結果については当日報告する．