[22p-D316-1~16] 13.8 光物性・発光デバイス

[22p-D316-13] 非平衡グリーン関数法による高アルミニウム組成のInAlAs障壁と高インジウム組成のInGaAs井戸を持つ量子カスケードレーザの設計

〇(PC)谷村 景貴¹、高木 茂行¹、角野 努²、橋本 玲²、金子 桂²、斎藤 真司² (1.東京工科大工、2.東芝)

キーワード：量子カスケードレーザ、非平衡グリーン関数法

高出力なQCLの活性層として，高アルミニウム組成InAlAs障壁と高インジウム組成InGaAs井戸を持つ膜構造（AlAs+InAs）について検討した．AlAs+InAsでは参照構造の注入層の障壁にAlAsを，発光層の井戸にInAsをそれぞれ挿入した．この膜構造を用いた非平衡グリーン関数法によるシミュレーションの結果はAlAs+InAsが参照構造よりゲインが高く，約1.24倍であった．