[22p-E102-1~14] FS.1 Focused Session "AI Electronics"

[22p-E102-2] Analog resistance change of molecular-gap atomic switches

〇(B)Risa Matsuo¹, Kaiba Tanaka¹, Tsuyoshi Hasegawa¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:molecular-gap atomic switches, analog resistance change, deep learning

我々は深層学習のシナプス素子として応用を目指して，分子膜ギャップ型原子スイッチの安定かつ緩やかな多値抵抗変化の実現を目指している。本研究では，Ta₂O₅-Cu混合膜，Ta₂O₅-Ag混合膜，Ag₂S膜をイオン拡散層とする素子を作製し，その特性を比較した。結果，いずれの素子においても概ね２桁の抵抗範囲で段階的な抵抗変化が観測され，Cuイオンを用いた素子では, 電圧の極性に依存した単調増加/減少に近い抵抗変化を実現できた。