[22p-E202-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22p-E202-10] GaN tunnel junctions with in-situ Mg activation

〇(M1)Naoki Kamiya¹, Taichi Ito¹, Rie Iwatsuki¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:tunnel junction

MOVPE 法により LED 上に形成した GaN トンネル接合では、成長中に Mg 活性化を行う、その場活性化 が試みられている。トンネル接合の p + -GaN 成長直後の炉内アニールに続き、n + -GaN を低温 成長（～700℃）させて水素による再不活性化を抑制する手法である。しかしながら、その 素子の駆動電圧は未だ高い。今回、この n + -GaN をさらに低温成長させる検討を行った。