[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-E202-10] その場 Mg 活性化を用いた GaN トンネル接合

〇(M1)神谷 直樹¹、伊藤 太一¹、岩月 梨恵¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹ (1.名城大理工)

キーワード：トンネル接合

MOVPE 法により LED 上に形成した GaN トンネル接合では、成長中に Mg 活性化を行う、その場活性化 が試みられている。トンネル接合の p + -GaN 成長直後の炉内アニールに続き、n + -GaN を低温 成長（～700℃）させて水素による再不活性化を抑制する手法である。しかしながら、その 素子の駆動電圧は未だ高い。今回、この n + -GaN をさらに低温成長させる検討を行った。