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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2022年3月22日(火) 13:30 〜 18:15 E202 (E202)

小林篤(東大)、正直花奈子(三重大)、上杉謙次郎(三重大)

16:00 〜 16:15

[22p-E202-9] 巨大障壁を持つp型GaNショットキーバリアダイオード

〇青山航平¹、上野耕平¹、小林篤¹、藤岡洋¹ (1.東京大学生産技術研究所)

キーワード：GaN、スパッタリング、ショットキーバリアダイオード