[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-E202-11] 量子殻デバイスへのトンネル接合導入のための m 面 GaN 基板上トンネル接合成長に関する検討 (2)

〇山村 志織¹、宮本 義也¹、Weifang Lu¹、奥田 廉士¹、伊藤 和真¹、神野 幸美¹、中山 奈々美¹、勝呂 紗衣¹、高橋 美月¹、山中 優輝¹、島 綾香¹、伊井 詩織¹、稲葉 颯磨¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹ (1.名城大学)

キーワード：MOVPE、m面GaN基板、トンネル接合