[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-E202-15] NdドープGaNフォトニック結晶L3共振器の近赤外発光特性

〇佐藤 真一郎¹、大音 隆男²、大島 武¹ (1.量研、2.山形大)

キーワード：フォトニック結晶、希土類添加、フォトルミネセンス

量子技術のひとつである量子暗号・通信の実現には、光子1個をオンデマンドで生成する技術、すなわち単一光子源の開発が必要である。窒化ガリウム(GaN)半導体にドープしたネオジム(Nd)は室温動作する電気駆動型近赤外単一光子源への応用が期待できるが、その実現には単一Nd発光の自然放出レートの改善が課題となる。本発表では、Ndをイオン注入したGaN上に形成したフォトニック結晶L3共振器において、パーセル効果に基づくNd-4f殻内遷移発光の自然放出レート増加が起こることを報告する。