[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-E202-3] 電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN方向性結合器の作製と評価

〇亀井 拓哉¹、久田 雄太¹、市川 修平¹、藤原 康文¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：近赤外、窒化物半導体、光デバイス

2つの方向性結合器と位相シフタから成るマッハツェンダ干渉計は、光量子情報処理や光通信に使用される。GaNなどの窒化物半導体は電気光学効果によって屈折率を変化させることができるため、我々はMZIにおける電界印加型位相シフタの開発も進めており、これまでGaN 方向性結合器の設計と作製を報告した。本発表ではGaN 方向性結合器の作製と分波特性について評価したので報告する。