[22p-E202-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22p-E202-3] Fabrication and Evaluation of GaN Directional Coupler for Electric-Field Driven Waveguide Mach-Zehnder Interferometer

〇Takuya Kamei¹, Yuta Hisada¹, Shuhei Ichikawa¹, Yasufumi Fujiwara¹, Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ)

Keywords:near infrared, Nitride semiconductor, Optical devices

2つの方向性結合器と位相シフタから成るマッハツェンダ干渉計は、光量子情報処理や光通信に使用される。GaNなどの窒化物半導体は電気光学効果によって屈折率を変化させることができるため、我々はMZIにおける電界印加型位相シフタの開発も進めており、これまでGaN 方向性結合器の設計と作製を報告した。本発表ではGaN 方向性結合器の作製と分波特性について評価したので報告する。