[22p-E202-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22p-E202-4] Effect of gas species on ICP etching during fabrication of AlGaN/GaN-based HFET-type photosensors

〇(B)Tatsunari Saito¹, Yuya Yamada¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:photosensor, HFET

HFET型光センサは高い波長選択性・高受光感度・高リジェクション比・高速応答特性などに期待できる。一方で、デバイスプロセス条件には不明な点が多い。本研究ではICPエッチング時のガス種の依存性を調査した。ICPエッチングではp-GaNとAlGaNを選択的にエッチング可能なBCl₃・SF₆混合ガスおよびCl₂・O₂・Ar混合ガスを用いてデバイスを作製及びデバイス特性の依存性を調査した。