[22p-E202-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22p-E202-5] Fabrication of GaN/AlN Resonant Tunneling Diode using MOVPE

〇Daiki Iwata¹, Takeru Kumabe¹, Hirotaka Watanabe², Maki Kushimoto¹, Manato Deki³, Shugo Nitta², Atsushi Tanaka², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.VBL, Nagoya Univ., 4.Akasaki R.C.)

Keywords:GaN, Resonant Tunneling Diode

共鳴トンネルダイオード(RTD)は小型かつ室温動作可能なデバイスであり，テラヘルツ光源として有力視されているが，出力が小さいことが課題である．発振器の高出力化に向け，我々は窒化物系RTDに着目した．本研究ではMOVPE法用いてGaN自立基板上に作製したGaN/AlN RTDの電流電圧特性を評価し，室温で微分負性抵抗を確認したため報告する．