2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2022年3月22日(火) 13:30 〜 18:15 E202 (E202)

小林 篤(東大)、正直 花奈子(三重大)、上杉 謙次郎(三重大)

14:30 〜 14:45

[22p-E202-4] AlGaN/GaN 系 HFET 型光センサ作製時の ICP エッチングのガス種による影響

〇(B)齋藤 竜成1、山田 雄也1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1 (1.名城大理工)

キーワード:光センサー、HFET

HFET型光センサは高い波長選択性・高受光感度・高リジェクション比・高速応答特性などに期待できる。一方で、デバイスプロセス条件には不明な点が多い。本研究ではICPエッチング時のガス種の依存性を調査した。ICPエッチングではp-GaNとAlGaNを選択的にエッチング可能なBCl3・SF6混合ガスおよびCl2・O2・Ar混合ガスを用いてデバイスを作製及びデバイス特性の依存性を調査した。