[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-E202-5] MOVPE法を用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製

〇岩田 大暉¹、隈部 岳瑠¹、渡邉 浩崇²、久志本 真希¹、出来 真斗³、新田 州吾²、田中 敦之²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大 VBL、4.赤﨑記念研究センター)

キーワード：窒化ガリウム、共鳴トンネルダイオード

共鳴トンネルダイオード(RTD)は小型かつ室温動作可能なデバイスであり，テラヘルツ光源として有力視されているが，出力が小さいことが課題である．発振器の高出力化に向け，我々は窒化物系RTDに着目した．本研究ではMOVPE法用いてGaN自立基板上に作製したGaN/AlN RTDの電流電圧特性を評価し，室温で微分負性抵抗を確認したため報告する．