[22p-E202-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-E202-6] Reuse of GaN substrate after laser slicing and large-diameter slice

〇Atsushi Tanaka¹, Ryuji Sugiura², Daisuke Kawaguchi², Yotaro Wani², Hirotaka Watanabe¹, Hadi Sena¹, Yoshio Honda¹, Yasunori Igasaki², Hiroshi Amano¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Hamamatsu Photonics)

Keywords:Gallium Nitride, laser slice

我々はGaN on GaNデバイスの普及を阻んでいる基板が高コストであるという課題を解決するため、カーフロスの少ない方法としてレーザを用いたGaN基板のスライスに取り組んできた。前回の報告ではGaN基板のレーザスライスが可能であるという事および、レーザスライスによるダメージの評価までであったが、今回このレーザスライスの有用性・プロセス親和性をさらに確かめるためスライス後の基板へのエピ層成長および2インチでのスライスを行ったのでその結果について報告する。