[22p-E202-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-E202-7] Thinning of High-Electron-Mobility Transistors on GaN substrate by Laser slicing

〇Atsushi Tanaka¹, Ryuji Sugiura², Daisuke Kawaguchi², Yotaro Wani², Hirotaka Watanabe¹, Hadi Sena¹, Yuto Ando³, Yoshio Honda¹, Yasunori Igasaki², Akio Wakejima⁴, Yuji Ando¹, Hiroshi Amano¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Hamamatsu Photonics, 3.Georgia Inst. Tech., 4.Nagoya Inst. Tech)

Keywords:Gallium Nitride, laser slice, High-Electron Mobility Transistor

GaN on GaN デバイスの普及が進んでいない理由の一つとしてGaN基板の価格が非常に高いことがあげられる。我々はこの課題を解決するため、カーフロスの少ない方法としてレーザを用いたGaN基板のスライスに取り組んできた。今回このレーザスライスの有用性・プロセス親和性を確かめるためHEMTを形成した後の基板に対してレーザスライスを行ったので、その結果について報告する。