[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-E202-6] GaN基板のレーザスライス：スライス後の再利用性と大口径スライス

〇田中 敦之¹、杉浦 隆二²、河口 大祐²、和仁 陽太郎²、渡邉 浩崇¹、瀬奈 ハディ¹、本田 善央¹、伊ケ崎 泰則²、天野 浩¹ (1.名大 IMaSS、2.浜松ホトニクス)

キーワード：窒化ガリウム、レーザスライス

我々はGaN on GaNデバイスの普及を阻んでいる基板が高コストであるという課題を解決するため、カーフロスの少ない方法としてレーザを用いたGaN基板のスライスに取り組んできた。前回の報告ではGaN基板のレーザスライスが可能であるという事および、レーザスライスによるダメージの評価までであったが、今回このレーザスライスの有用性・プロセス親和性をさらに確かめるためスライス後の基板へのエピ層成長および2インチでのスライスを行ったのでその結果について報告する。