[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-E202-8] スパッタ再成長高濃度縮退n⁺-GaNオーミックコンタクトAlN/Al_xGa_1-xN HEMTの特性評価

〇(D)前田 亮太¹、西川 祐人¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：AlGaN、HEMT、スパッタリング

今回我々はソース・ドレイン領域に高濃度縮退n型GaN（degenerate GaN: d-GaN）薄膜をスパッタエピ成長させたAlN/Al_0.5Ga_0.5N HEMT構造を作製した。
AlN/Al_0.5Ga_0.5N HEMTの接触抵抗は0.43 Ωmmと低く、最大電流密度は250 mA/mmの値が得られた。ゲート・ドレイン間距離の異なる素子の破壊電圧から絶縁破壊電界を求めたところ、3.0 MV/cmと求まった。
​以上の結果からスパッタ法を用いたn⁺-GaN再成長技術は、接触抵抗が低く高耐圧なAlGaN チャネルデバイスの作製に有望であることがわかった。