2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-E202-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2022年3月22日(火) 13:30 〜 18:15 E202 (E202)

小林 篤(東大)、正直 花奈子(三重大)、上杉 謙次郎(三重大)

15:45 〜 16:00

[22p-E202-8] スパッタ再成長高濃度縮退n+-GaNオーミックコンタクトAlN/AlxGa1-xN HEMTの特性評価

〇(D)前田 亮太1、西川 祐人1、上野 耕平1、小林 篤1、藤岡 洋1 (1.東大生研)

キーワード:AlGaN、HEMT、スパッタリング

今回我々はソース・ドレイン領域に高濃度縮退n型GaN(degenerate GaN: d-GaN)薄膜をスパッタエピ成長させたAlN/Al0.5Ga0.5N HEMT構造を作製した。
AlN/Al0.5Ga0.5N HEMTの接触抵抗は0.43 Ωmmと低く、最大電流密度は250 mA/mmの値が得られた。ゲート・ドレイン間距離の異なる素子の破壊電圧から絶縁破壊電界を求めたところ、3.0 MV/cmと求まった。
​以上の結果からスパッタ法を用いたn+-GaN再成長技術は、接触抵抗が低く高耐圧なAlGaN チャネルデバイスの作製に有望であることがわかった。