[22p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22p-E204-1] 高移動度Mott絶縁体の探索：岩塩型NbOエピタキシャル薄膜

〇(B)木村 凜太郎¹、神永 健一²、丸山 伸伍²、松本 祐司² (1.東北大工、2.東北大院工)

キーワード：パルスレーザ堆積法、Mott絶縁体、ニオブ酸化物

遷移金属単酸化物は一般的に岩塩構造を有し，化学的に不安定で絶縁性を示す. 対照的に NbO は，岩塩型から Nb と O が 25%ずつ抜けた，秩序空孔を有する化学的に安定な擬岩塩型(a = 4.21 Å)をとり，金属的で Tc = 1.5 K の超伝導を示す ．既報の NbO は擬岩塩型のバルク体のみで，岩塩型 の合成報告はない．今回，我々はパルスレーザ堆積法により岩塩型の NbO エピタキシャル薄膜の作製に成功し，室温下で最大 62 cm² /V.s の高移動度半導体であることを発見したので報告する.