[22p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22p-E204-12] 平面型TiO_2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察

〇(M2)谷口 奈穂¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、酒井 朗¹ (1.大阪大基)

キーワード：その場TEM観察、メモリスタ、酸素空孔

TiO_2-xは、酸素空孔のドリフトにより抵抗変化を起こすことが報告されているメモリスタ材料である。本研究では、酸素空孔の集積により形成され抵抗変化に寄与する剪断面構造の動的形成機構解明を目指し、バイアス電圧印加下その場TEM解析を行った。電子線描画と集束イオンビームを用いて平面型メモリスタ素子を作製し、電圧印加中のその場TEM観察実験を行なった結果、抵抗値変化と同期した剪断面の形成過程を観測することに成功した。