[22p-E204-1~13] 6.3 Oxide electronics

△ [22p-E204-13] Effect of Noise Application on Analog Resistance Change Characteristics of TaO_x-based Resistance Change Device

〇(M2)Kota Sugawara^1,2, Hisashi Shima², Yasuhisa Naitoh², Hiroshi Suga¹, Hiroyuki Akinaga² (1.Chiba Tech, 2.AIST)

Keywords:ReRAM, Stochastic Resonance, RAND

ReRAMはアナログ的な抵抗制御が可能であることから，人工ニューラルネットワーク等への応用が期待されている．ヒトの脳内シナプスでは，ノイズと信号の揺らぎを利用することで低消費エネルギー化が実現していると考えられている．本研究では，シナプスの重みとして動作しているReRAMにノイズを印加し，電気特性を評価した．抵抗変化動作時に微小なノイズを加えることで，抵抗変化量が増大することが明らかになった．