[22p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22p-E204-13] TaO_x抵抗変化素子のアナログ抵抗変化特性におけるノイズ印加効果

〇(M2)菅原 広太^1,2、島 久²、内藤 泰久²、菅 洋志¹、秋永 広幸² (1.千葉工大、2.産総研)

キーワード：抵抗変化メモリ、確率共鳴、ニューロモルフィックデバイス

ReRAMはアナログ的な抵抗制御が可能であることから，人工ニューラルネットワーク等への応用が期待されている．ヒトの脳内シナプスでは，ノイズと信号の揺らぎを利用することで低消費エネルギー化が実現していると考えられている．本研究では，シナプスの重みとして動作しているReRAMにノイズを印加し，電気特性を評価した．抵抗変化動作時に微小なノイズを加えることで，抵抗変化量が増大することが明らかになった．