[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[22p-E302-11] マルチスケール応力解析を用いたSiトレンチMOSFETの応力・オン抵抗予測手法の検討

〇伊藤 和幸¹、織田 達広¹、菊地 拓雄¹、北原 義之¹、藪原 秀彦¹、西口 俊史²、加藤 浩朗²、下村 紗矢²、西脇 達也² (1.東芝、2.東芝デバイス&ストレージ)

キーワード：パワー半導体、応力、オン抵抗