[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [22p-E302-15] SBD内蔵SiC MOSFETの新規等価回路モデルの開発と寄生PNダイオードのクランプ能力の向上

〇大橋 輝之¹、河野 洋志²、蟹江 創造²、尾形 昂洋²、佐野 賢也²、早川 秀樹²、朝羽 俊介¹、深津 茂人¹、飯島 良介¹ (1.東芝研開セ、2.東芝デバイス＆ストレージ(株))

キーワード：半導体、SiC、MOSFET

SiC MOSFETでは寄生PNダイオード動作がデバイスの信頼性低下を引き起こすため、我々は、SBDをセル内部に内蔵したSBD内蔵SiC MOSFETの開発を進めている。今回SBD内蔵SiC MOSFETにおいて、寄生PNダイオードが動作しない上限電流密度(J_umax)を正確かつシンプルに表す等価回路モデルを開発した。このモデルに基づきデバイスの設計指針を策定し、試作を行った結果、J_umaxを従来比4.8倍に向上できた。これはSBD内蔵SiC MOSFETの信頼性向上と高温応用に寄与する結果である。