2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

CS コードシェアセッション » 【CS.9】 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物(SiC)のコードシェアセッション

[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物(SiC)のコードシェアセッション

2022年3月22日(火) 13:45 〜 18:30 E302 (E302)

田中 保宣(産総研)、新井 学(名大)

15:30 〜 15:45

[22p-E302-5] Vertical Trench Field Plated Ga2O3 Schottky Barrier Diodes

〇Sandeep Kumar1、Hisashi Murakami2、Yoshinao Kumagai2、Masataka Higashiwaki1 (1.National Institute of Information and Communications Technology、2.Tokyo University of Agriculture and Technology)

キーワード:Ga2O3, Power electronics, Wide-bandgap

Development to enhance breakdown voltage of Ga2O3 transistors and diodes have been actively pursued in the last decade. In this work, Ga2O3 SBDs with novel edge termination structures were designed, fabricated, and characterized to understand electric field management for further enhancing the Vbr with keeping a low Ron.