[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [22p-E302-8] C-Si結合2DHGダイヤモンドMOSFET;
低温(10 K)でのノーマリーオフ特性と広い温度安定性(10-573 K)

〇(M2)行木 佑太¹、畢 特¹、角田 隼¹、新倉 直弥¹、荒井 雅一¹、平岩 篤^1,2、川原田 洋^1,3 (1.早大理工、2.名大未来研、3.早大材研)

キーワード：ワイドバンドギャップ半導体、ダイヤモンド、低温特性

ダイヤモンドは、高性能パワーデバイスを実現できる次世代ワイドバンドギャップ半導体材料である。我々はH終端（C-H）表面で誘起される2次元正孔ガスを利用したFETを報告してきた。しかし、水素終端ダイヤモンド表面上のALD-Al₂O₃ゲート絶縁膜は密着性が乏しいという問題がある。この問題を解決できるダイヤモンド-SiO₂界面のC-Si結合をpチャネルとして使用し、C-SiダイヤモンドMOSFETを作製した。その結果、高い移動度と低温におけるノーマリーオフ動作を達成した。