[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[22p-E302-9] 820 MW/cm² 3326 V 0.42 A/mm選択ドープダイヤモンドMOSFET

サハ ニロイ　チャンドラ¹、金 聖祐²、大石 敏之¹、〇嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石(株))

キーワード：ダイヤモンド、FET

選択ドープダイヤモンドMOSFETで820 MW/cm² , 3326 Vを達成した。