[22p-E303-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[22p-E303-10] Si/SiO₂ハイメサ導波路のエッチング条件基礎検討

〇嶋村 雄太¹、桒畑 亮太¹、田部井 哲夫²、姜 海松¹、浜本 貴一¹ (1.九州大総合理工、2.広島大ナノデバイス研)

キーワード：ハイメサ導波路、ドライエッチング

日常的な健康モニタリングシステムとして、小型呼気センシングシステムを研究開発している。小型化のために光導波路型ガスセルを提案しており、導波路構造としてSi/SiO₂ハイメサ導波路の適用を検討している。そこで、SOI基板上へのセンシング導波路と他の機能素子との光集積回路実現を目指し、ハイメサ形成に必要となる SiO2ドライエッチング条件の基礎検討を行ったので報告する。