[22p-F408-1~14] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

△ [22p-F408-6] Fermi edge singularity and related exciton generation in degenerate ZnO:Ga thin film

〇Aika Tashiro¹, Yutaka Adachi², Takashi Uchino¹ (1.Kobe Univ., 2.NIMS)

Keywords:degenerate semiconductor, exciton, stimulated emission

Mot密度以上のキャリア濃度を有する半導体では，フェルミエッジ付近の異常吸収とそれに伴うMahan励起子生成の存在が提唱されている。本研究ではMot密度以上のZnO薄膜の光学特性を調べるためZnO:Ga薄膜の光吸収スペクトルを測定した。その結果，150 K以下の温度で3.38 eVに励起子の生成を示唆する異常吸収が現れた。さらに発光スペクトル測定より，ZnO:Ga薄膜では低励起フルエンス領域でMahan励起子に由来すると考えられる誘導放出が観測された。