[22p-F408-1~14] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [22p-F408-6] 縮退ZnO:Ga薄膜中のフェルミエッジ異常と励起子生成

〇田代 愛佳¹、安達 裕²、内野 隆司¹ (1.神戸大理、2.物材機構)

キーワード：縮退半導体、励起子、誘導放出

Mot密度以上のキャリア濃度を有する半導体では，フェルミエッジ付近の異常吸収とそれに伴うMahan励起子生成の存在が提唱されている。本研究ではMot密度以上のZnO薄膜の光学特性を調べるためZnO:Ga薄膜の光吸収スペクトルを測定した。その結果，150 K以下の温度で3.38 eVに励起子の生成を示唆する異常吸収が現れた。さらに発光スペクトル測定より，ZnO:Ga薄膜では低励起フルエンス領域でMahan励起子に由来すると考えられる誘導放出が観測された。