[22p-P02-1~3] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[22p-P02-1] p型単一障壁トンネルダイオード及び2重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたSi/CaF₂界面における価電子帯障壁高さ(ΔE_V)の評価

〇(M2)菅原 大暉¹、劉 龍¹、鄭 源宰¹、小柳 陽平¹、北村 研太¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工)

キーワード：共鳴トンネルダイオード、Calcium fluoride

Si薄膜をCaF₂障壁で挟み込んだ構造では、量子閉じ込めや共鳴トンネル効果を室温で発現する。これを光電子相互作用の制御に適用するため、今回、p型単一障壁トンネルダイオードのI-V特性に対して、リーク電流や寄生抵抗の効果を考慮したフィッティングを行い、価電子帯バンド不連続の見積を行った。また、2重障壁トンネルダイオードのI-Vピーク位置から障壁高さの妥当性を検証した。